Британська компанія QuInAs Technology ще на крок наблизилася до серійного виробництва своєї універсальної пам'яті UltraRAM, яка поєднує такі характеристики, як висока швидкість DRAM, енергонезалежність NAND і низьке енергоспоживання.

Принцип роботи UltraRAM базується на ефекті квантового тунелювання електронів через енергетичний бар'єр у комірку. Цей бар'єр формується шляхом чергування тонкоплівкових шарів антимоніду галію (GaSb) та антимоніду алюмінію (AlSb). У звичайній пам'яті 3D NAND оксидний плаваючий затвор у комірці поступово руйнується, тоді як в UltraRAM затвор практично не піддається зовнішнім впливам, стверджують розробники. Завдяки цьому забезпечується велика кількість циклів запису/стирання.

Партнером QuInAs у межах проєкту з організації масового виробництва UltraRAM виступає компанія IQE, тоді як грантове фінансування надає Innovate UK. Наразі ці компанії обговорюють можливості комерціалізації пам’яті нового типу з виробничими підприємствами та стратегічними партнерами.

💻 Підписатись